NTTD4401F
1
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
Normalized to R ? ja at Steady State (1 inch pad)
0.0125 W 0.0563 W 0.110 W 0.273 W 0.113 W
0.436 W
0.05
0.02
0.01
0.021 F
0.137 F
1.15 F
2.93 F
152 F
261 F
Single Pulse
0.01
1E?03
1E?02
1E?01
1E+00
1E+03
1E+02
1E+03
t, TIME (s)
Figure 13. FET Thermal Response
TYPICAL SCHOTTKY ELECTRICAL CHARACTERISTICS
10
10
T J = 125 ° C
1.0
T J = 125 ° C
85 ° C
25 ° C
1.0
85 ° C
25 ° C
? 40 ° C
0.1
0.1
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
V F , INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (VOLTS)
Figure 14. Typical Forward Voltage
http://onsemi.com
6
V F , MAXIMUM INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (VOLTS)
Figure 15. Maximum Forward Voltage
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NTTFS3A08PZTAG 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTTFS3A08PZTWG 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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NTTFS4800NTWG 功能描述:MOSFET NFET U8FL 30V 28A 20mOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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